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长飞进步前辈武汉基地在5月29日正式投产首批碳化硅晶圆，成为我国范围最年夜的碳化硅半导体基地。该基地估计将孝敬国产碳化硅晶圆产能的30%，为我国新能源财产解决缺芯问题提供撑持。碳化硅被誉为新能源时代的“技能心脏”，是新一代信息技能的基础质料，全世界列国都于争相结构这一范畴。 长飞进步前辈武汉基地是武汉东湖科学城首个落地的百亿级半导体项目，用时18个月从荒地到量产，吸引了跨越20家配套企业入驻，形成为了笼罩装备、质料、封测的完备财产链。该基地总投资跨越200亿元，首期项目专注在第三代半导体功率器件的研发与出产，年产能力到达36万片6英寸碳化硅晶圆，估计可满意144万辆新能源汽车的制造需求。 长飞进步前辈的投产标记着我国于碳化硅范畴的庞大进展，鞭策了第三代半导体技能的自立立异与成长，助力我国于全世界半导体财产中实现从“跟跑”到“并跑”的改变。
